LV/MV MOS系列
溝槽式金屬氧化物場效應晶體管( Trench MOSFET )與傳統(tǒng)VDMOS相比,具有更低的導通電阻Rdson和柵漏電荷密度,從而可實現(xiàn)更低的導通和開關損耗及更快的開關速度。LVMVMOS通過采用先進的溝槽技術和芯片布局,可應用于工作頻率小于100kHz的各種應用領域,很好的補充的SGT系列產(chǎn)品,具有抗沖擊能力強,輸出效率高,成本低等特點;結合先進的封裝技術,可實現(xiàn)更高的輸出功率和可靠性,同時擁有各種小封裝產(chǎn)品可進一步提高電路集成度。