點(diǎn)擊:278 發(fā)布于:2022-10-20
特性
1、開關(guān)速度快
2、功耗低
3、動(dòng)態(tài)范圍大
4、輸入阻抗高
5、熱穩(wěn)定性好
6、耐輻射性能好
7、抗干擾能力強(qiáng)
8、可制成大面積集成
9、成本低
10、體積小、重量輕
11、可靠性高
12、壽命長
13、易于大規(guī)模生產(chǎn)
14、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛 應(yīng)用 在數(shù)字集成電路中用作開關(guān)元件;在模擬電路中用作放大器和振蕩器。
場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)有:
工作電壓、電流放大倍數(shù)、最大允許耗散功率等。 工作原理 單個(gè)mos管的結(jié)構(gòu)如圖1所示。當(dāng)加正向電壓時(shí),空穴由耗盡層注入到源漏端形成n+區(qū);反之加反向電壓時(shí)則相反形成n-區(qū)。當(dāng)外加正偏電壓uab時(shí),源漏端的電場(chǎng)強(qiáng)度增加使電子向源側(cè)移動(dòng)而離開漏端進(jìn)入集電區(qū)成為自由電子并產(chǎn)生一個(gè)由該點(diǎn)開始按正弦規(guī)律變化的電場(chǎng)e=ebvgdibgh稱為反相飽和電流idr 。由于這個(gè)電流是由反向飽和電流idr產(chǎn)生的所以稱之為反相飽和電流idtr ,簡(jiǎn)稱逆流子順流遷移率(cefr),單位是cm2/v. 當(dāng)外加負(fù)向電壓vi 時(shí)則發(fā)生相反的現(xiàn)象即電子由集電級(jí)流向?
mos管是什么,有什么作用的相關(guān)圖
級(jí)從而形成一個(gè)正的反饋磁場(chǎng)fe=fesbvc稱為同相飽和電流isr 。此時(shí)若再施加正向電壓vdd 則將出現(xiàn)一個(gè)與前述反向飽和現(xiàn)象相反的逆向流動(dòng)情況即從集電級(jí)流入到發(fā)射級(jí)的電子經(jīng)負(fù)載電阻作用變?yōu)轫樝蛄鲃?dòng)狀態(tài)這時(shí)便產(chǎn)生了自激振蕩現(xiàn)象其頻率隨激勵(lì)信號(hào)的變化而改變這種自激振蕩被稱為"雪崩"(avalanche)現(xiàn)象這是mos 管特有的基本物理現(xiàn)象之一也是其具有高頻響應(yīng)和較高開關(guān)速度的主要原因之一 圖2給出了兩個(gè)典型的金屬氧化物半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)框圖及其等效符號(hào)見圖3。其中a表示溝道增強(qiáng)型的mos 管 b 表示耗盡型的mos 管 a 的結(jié)構(gòu) 作者:番茄醬爆西紅柿
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